NGB8207BNT4G

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Peça do fabricante

NGB8207BNT4G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - simples
Series
-
Em estoque
1600
Folhas de dados on-line
NGB8207BNT4G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):365 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):20 A
  • corrente - coletor pulsado (icm):50 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.6V @ 4V, 20A
  • potência - máx.:165 W
  • energia de comutação:-
  • tipo de entrada:Logic
  • carga de portão:-
  • td (ligado/desligado) @ 25°c:-
  • condição de teste:-
  • tempo de recuperação reversa (trr):-
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D2PAK
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