NXPSC166506Q

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Peça do fabricante

NXPSC166506Q

Fabricante
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrição
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
diodos - retificadores - simples
Series
-
Em estoque
2970
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
  • tensão - CC reversa (vr) (máx.):650 V
  • atual - média retificada (io):16A
  • tensão - direto (vf) (max) @ se:1.7 V @ 16 A
  • Rapidez:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempo de recuperação reversa (trr):0 ns
  • corrente - fuga reversa @ vr:100 µA @ 650 V
  • capacitância @ vr, f:534pF @ 1V, 1MHz
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:TO-220-2
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220AC
  • temperatura de operação - junção:175°C (Max)
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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