MT3S111TU,LF

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Peça do fabricante

MT3S111TU,LF

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolar (bjt) - rf
Series
-
Em estoque
3372
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:NPN
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):6V
  • frequência - transição:10GHz
  • figura de ruído (db typ @ f):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • ganho:12.5dB
  • potência - máx.:800mW
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):100mA
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:3-SMD, Flat Lead
  • pacote de dispositivos do fornecedor:UFM
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