BFP182WE6327

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Peça do fabricante

BFP182WE6327

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolar (bjt) - rf
Series
-
Em estoque
27000
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:NPN
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):12V
  • frequência - transição:8GHz
  • figura de ruído (db typ @ f):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • ganho:22dB
  • potência - máx.:250mW
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 8V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):35mA
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:SC-82A, SOT-343
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-SOT343-4
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