HN3C10FUTE85LF

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Peça do fabricante

HN3C10FUTE85LF

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolar (bjt) - rf
Series
-
Em estoque
111
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:2 NPN (Dual)
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):12V
  • frequência - transição:7GHz
  • figura de ruído (db typ @ f):1.1dB @ 1GHz
  • ganho:11.5dB
  • potência - máx.:200mW
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 20mA, 10V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):80mA
  • Temperatura de operação:-
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacote de dispositivos do fornecedor:US6
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