A2G26H281-04SR3

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Peça do fabricante

A2G26H281-04SR3

Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - rf
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
A2G26H281-04SR3 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:LDMOS
  • frequência:2.496GHz ~ 2.69GHz
  • ganho:14.2dB
  • tensão - teste:48 V
  • classificação atual (amps):-
  • figura de ruído:-
  • corrente - teste:150 mA
  • Potência da saída:50W
  • tensão - nominal:125 V
  • pacote / caso:NI-780S-4L
  • pacote de dispositivos do fornecedor:NI-780S-4L
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