IGN1011L70

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Peça do fabricante

IGN1011L70

Fabricante
Integra Technologies
Descrição
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - rf
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:GaN HEMT
  • frequência:1.03GHz ~ 1.09GHz
  • ganho:22dB
  • tensão - teste:50 V
  • classificação atual (amps):-
  • figura de ruído:-
  • corrente - teste:22 mA
  • Potência da saída:80W
  • tensão - nominal:120 V
  • pacote / caso:PL32A2
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PL32A2
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