J112-D27Z

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Peça do fabricante

J112-D27Z

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - jfets
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
J112-D27Z PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tensão - ruptura (v(br)gss):35 V
  • tensão de dreno para fonte (vdss):-
  • atual - dreno (idss) @ vds (vgs=0):5 mA @ 15 V
  • dreno de corrente (id) - máx.:-
  • voltagem - corte (vgs off) @ id:1 V @ 1 µA
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:-
  • resistência - rds(on):50 Ohms
  • potência - máx.:625 mW
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-92-3
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