IPG20N10S4L22ATMA1

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Peça do fabricante

IPG20N10S4L22ATMA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
25448
Folhas de dados on-line
IPG20N10S4L22ATMA1 PDF
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Logic Level Gate
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:20A
  • rds em (max) @ id, vgs:22mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 25µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:27nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1755pF @ 25V
  • potência - máx.:60W
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:8-PowerVDFN
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TDSON-8-4
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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