SIZ200DT-T1-GE3

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Peça do fabricante

SIZ200DT-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH DUAL 30V
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
765
Folhas de dados on-line
SIZ200DT-T1-GE3 PDF
Investigação
  • Series:TrenchFET® Gen IV
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Standard
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
  • rds em (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:28nC @ 10V, 30nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
  • potência - máx.:4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:8-PowerWDFN
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-PowerPair® (3.3x3.3)
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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