NVDD5894NLT4G

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Peça do fabricante

NVDD5894NLT4G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
N-CHANNEL, MOSFET
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
2500
Folhas de dados on-line
NVDD5894NLT4G PDF
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • recurso de pé:Standard
  • tensão de dreno para fonte (vdss):40V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:14A (Ta), 64A (Tc)
  • rds em (max) @ id, vgs:10mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:41nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2103pF @ 25V
  • potência - máx.:3.8W (Ta), 75W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • pacote de dispositivos do fornecedor:DPAK-5
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