RJK0230DPA-00#J5A

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Peça do fabricante

RJK0230DPA-00#J5A

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
213000
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Half Bridge)
  • recurso de pé:Logic Level Gate
  • tensão de dreno para fonte (vdss):25V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:20A, 50A
  • rds em (max) @ id, vgs:7mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:7.7nC @ 4.5V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1650pF @ 10V
  • potência - máx.:15W, 35W
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:8-PowerVDFN
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-WPAK-D
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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