BSM180D12P2C101

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Peça do fabricante

BSM180D12P2C101

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
9
Folhas de dados on-line
BSM180D12P2C101 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Half Bridge)
  • recurso de pé:Silicon Carbide (SiC)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):1200V (1.2kV)
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:204A (Tc)
  • rds em (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 35.2mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:-
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:23000pF @ 10V
  • potência - máx.:1130W
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:-
  • pacote / caso:Module
  • pacote de dispositivos do fornecedor:Module
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