QS8M12TCR

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Peça do fabricante

QS8M12TCR

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
QS8M12TCR PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Not For New Designs
  • tipo de pé:N and P-Channel
  • recurso de pé:Logic Level Gate
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:4A
  • rds em (max) @ id, vgs:42mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:3.4nC @ 5V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:250pF @ 10V
  • potência - máx.:1.5W
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:8-SMD, Flat Lead
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TSMT8
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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