APTM120H29FG

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Peça do fabricante

APTM120H29FG

Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descrição
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
APTM120H29FG PDF
Investigação
  • Series:POWER MOS 7®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:4 N-Channel (H-Bridge)
  • recurso de pé:Standard
  • tensão de dreno para fonte (vdss):1200V (1.2kV)
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:34A
  • rds em (max) @ id, vgs:348mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 5mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:374nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:10300pF @ 25V
  • potência - máx.:780W
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Chassis Mount
  • pacote / caso:SP6
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SP6
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