SQJ912AEP-T1_GE3

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Peça do fabricante

SQJ912AEP-T1_GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
SQJ912AEP-T1_GE3 PDF
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Standard
  • tensão de dreno para fonte (vdss):40V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:30A
  • rds em (max) @ id, vgs:9.3mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:38nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1835pF @ 20V
  • potência - máx.:48W
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:PowerPAK® SO-8 Dual
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PowerPAK® SO-8 Dual
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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Imagem Número da peça Descrição Estoque Preço unitário Comprar
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