EPC2105

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Peça do fabricante

EPC2105

Fabricante
EPC
Descrição
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
554
Folhas de dados on-line
EPC2105 PDF
Investigação
  • Series:eGaN®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Half Bridge)
  • recurso de pé:GaNFET (Gallium Nitride)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):80V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:9.5A, 38A
  • rds em (max) @ id, vgs:14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
  • potência - máx.:-
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:Die
  • pacote de dispositivos do fornecedor:Die
Envio Tempo de entrega Para peças em estoque, estima-se que os pedidos sejam enviados em 3 dias.
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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