NTMD6N02R2

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Peça do fabricante

NTMD6N02R2

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
150000
Folhas de dados on-line
NTMD6N02R2 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Logic Level Gate
  • tensão de dreno para fonte (vdss):20V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:3.92A
  • rds em (max) @ id, vgs:35mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:20nC @ 4.5V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1100pF @ 16V
  • potência - máx.:730mW
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-SOIC
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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