RN1119MFV,L3F

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Peça do fabricante

RN1119MFV,L3F

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolares (bjt) - simples, pré-polarizados
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
RN1119MFV,L3F PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:NPN - Pre-Biased
  • corrente - coletor (ic) (máx.):100 mA
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):50 V
  • resistor - base (r1):1 kOhms
  • resistor - base do emissor (r2):-
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
  • saturação de vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
  • corrente - corte do coletor (máx.):100nA (ICBO)
  • frequência - transição:-
  • potência - máx.:150 mW
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:SOT-723
  • pacote de dispositivos do fornecedor:VESM
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