MUN5312DW1T2G

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Peça do fabricante

MUN5312DW1T2G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolar (bjt) - arrays, pré-polarizados
Series
-
Em estoque
375000
Folhas de dados on-line
MUN5312DW1T2G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • corrente - coletor (ic) (máx.):100mA
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):50V
  • resistor - base (r1):22kOhms
  • resistor - base do emissor (r2):22kOhms
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 5mA, 10V
  • saturação de vce (máx.) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • corrente - corte do coletor (máx.):500nA
  • frequência - transição:-
  • potência - máx.:385mW
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
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