EMD4T2R

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Peça do fabricante

EMD4T2R

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolar (bjt) - arrays, pré-polarizados
Series
-
Em estoque
991588
Folhas de dados on-line
EMD4T2R PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • corrente - coletor (ic) (máx.):100mA
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):50V
  • resistor - base (r1):47kOhms, 10kOhms
  • resistor - base do emissor (r2):47kOhms
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V
  • saturação de vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
  • corrente - corte do coletor (máx.):500nA
  • frequência - transição:250MHz
  • potência - máx.:150mW
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:SOT-563, SOT-666
  • pacote de dispositivos do fornecedor:EMT6
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