NUS5530MNR2G

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Peça do fabricante

NUS5530MNR2G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - propósito especial
Series
-
Em estoque
105255
Folhas de dados on-line
NUS5530MNR2G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:NPN, P-Channel
  • formulários:General Purpose
  • tensão - nominal:35V PNP, 20V P-Channel
  • classificação atual (amps):2A PNP, 3.9A P-Channel
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:8-VDFN Exposed Pad
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-DFN-EP (3.3x3.3)
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