FF200R12KT3HOSA1

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Peça do fabricante

FF200R12KT3HOSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
IGBT MODULE 1200V 1050W
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - módulos
Series
-
Em estoque
40
Folhas de dados on-line
FF200R12KT3HOSA1 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configuração:2 Independent
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):1200 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):-
  • potência - máx.:1050 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
  • corrente - corte do coletor (máx.):5 mA
  • capacitância de entrada (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
  • entrada:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 125°C
  • tipo de montagem:Chassis Mount
  • pacote / caso:Module
  • pacote de dispositivos do fornecedor:Module
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