NXH35C120L2C2ESG

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Peça do fabricante

NXH35C120L2C2ESG

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - módulos
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:-
  • configuração:Three Phase Inverter with Brake
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):1200 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):35 A
  • potência - máx.:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A
  • corrente - corte do coletor (máx.):250 µA
  • capacitância de entrada (cies) @ vce:8.333 nF @ 20 V
  • entrada:Three Phase Bridge Rectifier
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • pacote de dispositivos do fornecedor:26-DIP
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