FAM65HR51DS2

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Peça do fabricante

FAM65HR51DS2

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
IGBT MODULE 650V 33A 135W
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - módulos
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:-
  • configuração:Half Bridge Inverter
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):650 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):33 A
  • potência - máx.:135 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:-
  • corrente - corte do coletor (máx.):-
  • capacitância de entrada (cies) @ vce:4.86 nF @ 400 V
  • entrada:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:-
  • pacote de dispositivos do fornecedor:-
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