FPF2C110BI07AS2

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Peça do fabricante

FPF2C110BI07AS2

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - módulos
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
FPF2C110BI07AS2 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tray
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:-
  • configuração:Half Bridge
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):650 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):40 A
  • potência - máx.:300 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
  • corrente - corte do coletor (máx.):250 µA
  • capacitância de entrada (cies) @ vce:-
  • entrada:Standard
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:30-DIP Module
  • pacote de dispositivos do fornecedor:F2
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