GSID100A120T2C1

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Peça do fabricante

GSID100A120T2C1

Fabricante
SemiQ
Descrição
IGBT MOD 1200V 200A 640W
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - módulos
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
GSID100A120T2C1 PDF
Investigação
  • Series:Amp+™
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:-
  • configuração:Three Phase Inverter
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):1200 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):200 A
  • potência - máx.:640 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 100A
  • corrente - corte do coletor (máx.):1 mA
  • capacitância de entrada (cies) @ vce:13.7 nF @ 25 V
  • entrada:Three Phase Bridge Rectifier
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C
  • tipo de montagem:Chassis Mount
  • pacote / caso:Module
  • pacote de dispositivos do fornecedor:Module
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