CY7C1911KV18-300BZC

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Peça do fabricante

CY7C1911KV18-300BZC

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
QDR SRAM, 2MX9, 0.45NS, CMOS, PB
Categoria
circuitos integrados
Família
memória
Series
-
Em estoque
85
Folhas de dados on-line
CY7C1911KV18-300BZC PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de memória:Volatile
  • formato de memória:SRAM
  • tecnologia:SRAM - Synchronous, QDR II
  • Tamanho da memória:18Mb (2M x 9)
  • interface de memória:Parallel
  • frequência do relógio:300 MHz
  • escrever tempo de ciclo - palavra, página:-
  • tempo de acesso:-
  • tensão - alimentação:1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura de operação:0°C ~ 70°C (TA)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:165-LBGA
  • pacote de dispositivos do fornecedor:165-FBGA (13x15)
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