DS1230AB-200IND

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Peça do fabricante

DS1230AB-200IND

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Categoria
circuitos integrados
Família
memória
Series
-
Em estoque
118
Folhas de dados on-line
DS1230AB-200IND PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de memória:Non-Volatile
  • formato de memória:NVSRAM
  • tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Tamanho da memória:256Kb (32K x 8)
  • interface de memória:Parallel
  • frequência do relógio:-
  • escrever tempo de ciclo - palavra, página:200ns
  • tempo de acesso:200 ns
  • tensão - alimentação:4.75V ~ 5.25V
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • pacote de dispositivos do fornecedor:28-EDIP
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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