CP406-CWDM3011N-CT

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Peça do fabricante

CP406-CWDM3011N-CT

Fabricante
Central Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tray
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:9.93A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:13mOhm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:-
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):1.15W (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:Die
  • pacote / caso:Die
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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