PHW80NQ10T,127

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Peça do fabricante

PHW80NQ10T,127

Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
PHW80NQ10T,127 PDF
Investigação
  • Series:TrenchMOS™
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:15mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:109 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:4720 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):263W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-247-3
  • pacote / caso:TO-247-3
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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