FQB34P10TM-F085

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Peça do fabricante

FQB34P10TM-F085

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
FQB34P10TM-F085 PDF
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101, QFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:33.5A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:60mOhm @ 16.75A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±25V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2910 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):3.75W (Ta), 155W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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