GT10J312(Q)

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Peça do fabricante

GT10J312(Q)

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
GT10J312(Q) PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):600 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):10 A
  • corrente - coletor pulsado (icm):20 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
  • potência - máx.:60 W
  • energia de comutação:-
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de portão:-
  • td (ligado/desligado) @ 25°c:400ns/400ns
  • condição de teste:300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • tempo de recuperação reversa (trr):200 ns
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220SM
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As peças devem estar sem uso e na embalagem original.
O cliente tem que se responsabilizar pelo envio.
garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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