PDTD123ES,126

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Peça do fabricante

PDTD123ES,126

Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolares (bjt) - simples, pré-polarizados
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
PDTD123ES,126 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Box (TB)
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo transistor:NPN - Pre-Biased
  • corrente - coletor (ic) (máx.):500 mA
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):50 V
  • resistor - base (r1):2.2 kOhms
  • resistor - base do emissor (r2):2.2 kOhms
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 50mA, 5V
  • saturação de vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • corrente - corte do coletor (máx.):500nA
  • frequência - transição:-
  • potência - máx.:500 mW
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-92-3
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