IRLU2905ZPBF

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Peça do fabricante

IRLU2905ZPBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
IRLU2905ZPBF PDF
Investigação
  • Series:HEXFET®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):55 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:42A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:13.5mOhm @ 36A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±16V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1.57 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):110W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:IPAK (TO-251)
  • pacote / caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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