FQPF4N80

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Peça do fabricante

FQPF4N80

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
6114
Folhas de dados on-line
FQPF4N80 PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):800 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:2.2A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:3.6Ohm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:880 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):43W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220F
  • pacote / caso:TO-220-3 Full Pack
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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