IRF5305STRRPBF

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Peça do fabricante

IRF5305STRRPBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
IRF5305STRRPBF PDF
Investigação
  • Series:HEXFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Not For New Designs
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):55 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:31A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:60mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):3.8W (Ta), 110W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D2PAK
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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