NVB5860NLT4G

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Peça do fabricante

NVB5860NLT4G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
4040
Folhas de dados on-line
NVB5860NLT4G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:220A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:220 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:13.216 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):283W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D2PAK-3
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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