SI3442BDV-T1-GE3

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Peça do fabricante

SI3442BDV-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
SI3442BDV-T1-GE3 PDF
Investigação
  • Series:TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):20 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:3A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):2.5V, 4.5V
  • rds em (max) @ id, vgs:57mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 4.5 V
  • vgs (máximo):±12V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:295 pF @ 10 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):860mW (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:6-TSOP
  • pacote / caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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