APT31M100B2

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Peça do fabricante

APT31M100B2

Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
APT31M100B2 PDF
Investigação
  • Series:POWER MOS 8™
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):1000 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:32A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:380mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:260 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:8500 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):1040W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:T-MAX™ [B2]
  • pacote / caso:TO-247-3 Variant
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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