FQU10N20LTU

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Peça do fabricante

FQU10N20LTU

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
3190
Folhas de dados on-line
FQU10N20LTU PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):200 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:7.6A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:360mOhm @ 3.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:830 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.5W (Ta), 51W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:I-PAK
  • pacote / caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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