TPN22006NH,LQ

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Peça do fabricante

TPN22006NH,LQ

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
993
Folhas de dados on-line
TPN22006NH,LQ PDF
Investigação
  • Series:U-MOSVIII-H
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:9A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):6.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:22mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 100µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:710 pF @ 30 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):700mW (Ta), 18W (Tc)
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • pacote / caso:8-PowerVDFN
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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