IPW65R660CFDFKSA1

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Peça do fabricante

IPW65R660CFDFKSA1

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
14880
Folhas de dados on-line
IPW65R660CFDFKSA1 PDF
Investigação
  • Series:CoolMOS™
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):700 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:6A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:660mOhm @ 2.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 200µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:615 pF @ 100 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):62.5W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO247-3
  • pacote / caso:TO-247-3
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