HUFA76419S3ST

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Peça do fabricante

HUFA76419S3ST

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
HUFA76419S3ST PDF
Investigação
  • Series:UltraFET™
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:29A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:35mOhm @ 29A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±16V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:900 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):75W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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