GA50JT06-258

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Peça do fabricante

GA50JT06-258

Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
TRANS SJT 600V 100A TO258
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
GA50JT06-258 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:-
  • tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):-
  • rds em (max) @ id, vgs:25mOhm @ 50A
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (máximo):-
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:-
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):769W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-258
  • pacote / caso:TO-258-3, TO-258AA
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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