NTMD4N03R2G

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Peça do fabricante

NTMD4N03R2G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
22717
Folhas de dados on-line
NTMD4N03R2G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Logic Level Gate
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:4A
  • rds em (max) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:16nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:400pF @ 20V
  • potência - máx.:2W
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-SOIC
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