SQJ200EP-T1_GE3

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Peça do fabricante

SQJ200EP-T1_GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - arrays
Series
-
Em estoque
1229
Folhas de dados on-line
SQJ200EP-T1_GE3 PDF
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:2 N-Channel (Dual)
  • recurso de pé:Standard
  • tensão de dreno para fonte (vdss):20V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:20A, 60A
  • rds em (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:18nC @ 10V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:975pF @ 10V
  • potência - máx.:27W, 48W
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:PowerPAK® SO-8 Dual
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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