FZ1200R17HE4HOSA2

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Peça do fabricante

FZ1200R17HE4HOSA2

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
FZ1200R17 - IGBT MODULE
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - módulos
Series
-
Em estoque
12
Folhas de dados on-line
FZ1200R17HE4HOSA2 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:-
  • configuração:Single Switch
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):1.7 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):1.2 A
  • potência - máx.:7.8 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 1200A
  • corrente - corte do coletor (máx.):5 mA
  • capacitância de entrada (cies) @ vce:97 nF @ 25 V
  • entrada:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C
  • tipo de montagem:Chassis Mount
  • pacote / caso:Module
  • pacote de dispositivos do fornecedor:Module
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