NXH100B120H3Q0STG

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Peça do fabricante

NXH100B120H3Q0STG

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - módulos
Series
-
Em estoque
24
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tray
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configuração:2 Independent
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):1200 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):50 A
  • potência - máx.:186 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • corrente - corte do coletor (máx.):200 µA
  • capacitância de entrada (cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • entrada:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Chassis Mount
  • pacote / caso:Module
  • pacote de dispositivos do fornecedor:22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
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