GA100JT12-227

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Peça do fabricante

GA100JT12-227

Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
GA100JT12-227 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:-
  • tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):1200 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:160A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):-
  • rds em (max) @ id, vgs:10mOhm @ 100A
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (máximo):-
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:14400 pF @ 800 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):535W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Chassis Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SOT-227
  • pacote / caso:SOT-227-4, miniBLOC
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